发明设计人

姜岩峰

公开（公告）日

20100210

申请号/专利号

CN100588911C

法律状态

有权

摘要

本发明实施方式提供了一种灵敏大信号输出微型压力传感器,具体是将传感器电容部分的导电浮动层调整延伸到MOSFET器件的栅绝缘层,形成MOSFET器件的浮栅,从而将传感器的电容部分与下面的MOSFET器件分离,使传感器电容部分的结构尺寸对MOSFET器件没有任何影响,这样MOSFET器件就能制作成较小的尺寸,适合在微/纳级系统中使用;同时还能够有效克服器件的短沟道效应,改善电路的模拟属性,使其具有较大的放大倍数,可以直接完成信号的放大,并且避免使用高介质的材料,降低了传感器开发应用的成本。