发明设计人

姜岩峰

公开（公告）日

20091209

申请号/专利号

CN100568469C

法律状态

有权

摘要

本发明公开了一种低导通阻抗功率场效应管VDMOS的制作方法,包括步骤:A、在硅基层上生长外延层;B、在外延层上生长场氧化层;C、向外延层中进行离子注入;D、淀积栅氧化层及多晶硅层。在外延层上生长场氧化层后,有一个向外延层中进行离子注入的工艺,既能降低外延层的掺杂浓度实现高击穿电压,又能降低导通电阻。